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專利申請:【皮米/奈米級線路圖案的製備方法】

 

創辦人方可成博士突破現有半導體晶片的奈米製程,發明奈米/皮米等級晶片的製程,此發明的偉大之處在於無需光刻機及蝕刻機,透過方可成博士的製程方法就能做到奈米/皮米等級的晶片,為半導體產業開創新的奇蹟與科技。

 

本發明已向各國專利局提出專利申請,專利申請名稱為【皮米/奈米級線路圖案的製備方法】,所以各國應該也能局部性的閱覽該專利申請內容,了解到方可成博士的一奈米以下的晶片製程。

 

由於世界各國都急迫性的需要晶片來提升國家競爭力,例如現在普遍的缺乏車用晶片,而車用晶片更決定了未來自動化汽車的優劣,相信我們的皮米級晶片會吸引您們的合作,歡迎有興趣的廠家投資我司研發經費與未來訂單,就像當年光刻機大廠ASML獲得來自台積電跟三星的經費挹注,之後也幫助了他們成了晶片製造業的領導廠商,相信在方可成博士的領導下,能組成世界一流的研發團隊,為人類打造0.1奈米的積體電路晶片,期待我們的誠意能換來一紙合理且公平的合約,有興趣的廠家請儘速與我們聯繫!

 

備註: 本發明【皮米/奈米級線路圖案的製備方法】目前已布局多國專利申請,包括台灣、大陸、美國、日本、韓國與歐洲,其中韓國、EPC歐洲區域案及台灣專利已率先核准,其他國家也將陸續核准中。

 

台灣發明專利申請案號: TW 110146744 (2023專利核准通過,專利號:TW I790045)

 

韓國發明專利申請案號: KR1020210032132 (2022專利核准通過,專利號:KR10-2444530)

 

歐洲發明專利申請案號: EP21156016.4 (2022專利核准通過,專利號 : EP3893055)

 

大陸發明專利申請案號: CN202110061807.6

 

美國發明專利申請案號: US17/171,854

 

日本發明專利申請案號: JP2021037305